封装/外壳：BG-T10026K-1
封装：Tray
Moisture Level：NA
Configuration：Electrical Triggered Phase Control Thyristor
VDRM / VRRM [V]：2600.0
VDRM/ VRRM (V)：2600.0 V
Housing：Disc dia 100mm height 26mm / Ceramic
ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)：1590/85
rT [mΩ] (@Tvj max) max：0.237
Tvj [°C] max：125.0
ITSM：28000.0A
VT0 [V] (@Tvj max) max：1.1
∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)：3920.0
RthJC [K/kW] (@180° el sin) max：12.5
Clamping force [kn] min max：30.0 65.0
ITAVM：1590 (180 ° el sin)
VT/IT [V/kA] (@Tvj max)：2.45/5.0
ITSM [A] (@10ms, Tvj max)：28000.0
tq [µs]：400.0
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs